Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V - 2SD1328

Transistor NPN, 0.5A, 25V - 2SD1328
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Transistor NPN, 0.5A, 25V - 2SD1328. Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: 2.32k Ohms. Tipo di transistor: NPN. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6B. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 6B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6B. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 6B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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