Transistor NPN 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Transistor NPN 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
11.29€
5-9
10.37€
10-24
9.86€
25-49
9.27€
50+
8.55€
Quantità in magazzino: 1

Transistor NPN 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corrente del collettore: 23A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-21F2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 2 MHz. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione, TV HD. Guadagno hFE massimo: 55. Guadagno hFE minimo: 4.5. Ic(impulso): 46A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 210W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Tf(massimo): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:12

Documentazione tecnica (PDF)
2SC5859
25 parametri
Corrente del collettore
23A
Alloggiamento
TO-264 ( TOP-3L )
Custodia (secondo scheda tecnica)
2-21F2A
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
750V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
2 MHz
Funzione
Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione, TV HD
Guadagno hFE massimo
55
Guadagno hFE minimo
4.5
Ic(impulso)
46A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
210W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Tipo MESA triplo diffuso
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
3V
Tf(massimo)
0.15us
Tf(min)
0.1us
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
no
Vcbo
1700V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba