Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.21€
5-9
4.74€
10-24
4.39€
25-49
4.10€
50+
3.72€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 5

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo CE: sì. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: sì. RoHS: sì. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 1600V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:12

Documentazione tecnica (PDF)
2SC5696
27 parametri
Corrente del collettore
12A
Alloggiamento
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3PMLH
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo CE
FT
kHz
Funzione
Alta velocità
Guadagno hFE massimo
11
Guadagno hFE minimo
3
Ic(impulso)
36A
Marcatura sulla cassa
C5696
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
85W
Quantità per scatola
1
Resistenza BE
RoHS
Tecnologia
"Transistor al silicio planare triplo diffuso"
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
3V
Tf(massimo)
0.3us
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
no
Vcbo
1600V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Sanyo

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