Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.52€
5-24
2.20€
25-49
1.96€
50+
1.72€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 106

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo CE: sì. FT: 1.7 MHz. Funzione: MONITOR HA,Hi-res. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C5129. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: tempo di caduta 0,15...03us (64kHz). Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:12

Documentazione tecnica (PDF)
2SC5129
27 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Custodia (secondo scheda tecnica)
2-16E3A
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo CE
FT
1.7 MHz
Funzione
MONITOR HA,Hi-res
Guadagno hFE massimo
30
Guadagno hFE minimo
10
Ic(impulso)
20A
Marcatura sulla cassa
C5129
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
tempo di caduta 0,15...03us (64kHz)
Tecnologia
Tipo MESA triplo diffuso
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
3V
Tf(massimo)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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