Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V

Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.75€
5-24
0.64€
25-49
0.57€
50-99
0.51€
100+
0.44€
Quantità in magazzino: 18

Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MINI MOLD. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 2.7pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 460. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: AQ. Materiale semiconduttore: silicio. Quantità per scatola: 1. RoHS: no. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD601. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Matsushita. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:51

Documentazione tecnica (PDF)
2SB709
23 parametri
Corrente del collettore
0.1A
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
MINI MOLD
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
25V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Costo)
2.7pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
80 MHz
Guadagno hFE massimo
460
Guadagno hFE minimo
160
Ic(impulso)
0.2A
Marcatura sulla cassa
AQ
Materiale semiconduttore
silicio
Quantità per scatola
1
RoHS
no
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SD601
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
25V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Matsushita