Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V

Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.45€
5-24
1.23€
25-49
1.06€
50-99
0.94€
100+
0.72€
Quantità in magazzino: 84

Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 27pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 140 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD669A. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Unisonic Technologies Co. Ltd. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:51

Documentazione tecnica (PDF)
2SB649A
22 parametri
Corrente del collettore
1.5A
Alloggiamento
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-126
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
160V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
27pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
140 MHz
Guadagno hFE massimo
200
Guadagno hFE minimo
100
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SD669A
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
180V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Unisonic Technologies Co