Transistor NPN 2SB647-SMD, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 2A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vebo: 5V. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:51