Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.46€
5-24
1.23€
25-49
1.09€
50-99
1.01€
100+
0.89€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 172

Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Renesas Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:51

Documentazione tecnica (PDF)
2SB647
25 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92M ( 9mm )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
140 MHz
Funzione
uso generale
Guadagno hFE massimo
200
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
2A
Marcatura sulla cassa
B647
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.9W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SD667
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Renesas Technology

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