Transistor NPN 2SA970-GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Transistor NPN 2SA970-GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.50€
5-49
0.40€
50-99
0.34€
100-199
0.31€
200+
0.26€
Quantità in magazzino: 300

Transistor NPN 2SA970-GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Funzione: Basso rumore, amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Div. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:35

Documentazione tecnica (PDF)
2SA970-GR
24 parametri
Corrente del collettore
0.1A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Funzione
Basso rumore, amplificatore audio
Guadagno hFE massimo
400
Guadagno hFE minimo
200
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.3W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
"Tipo epitassiale (processo PCT)"
Temperatura di funzionamento
-55...+125°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Div