Transistor NPN 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V

Transistor NPN 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V

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Transistor NPN 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V. Alloggiamento: D8A/C. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. FT: 150 MHz. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Funzione: uso generale. Marcatura del produttore: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Quantità per scatola: 1. RoHS: no. Temperatura massima: -.. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore: Matsushita. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:35

Documentazione tecnica (PDF)
2SA881
17 parametri
Alloggiamento
D8A/C
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
40V/32V
Corrente collettore Ic [A], max.
1A
Corrente del collettore
1A
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
40V
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
0.6W
FT
150 MHz
Famiglia di componenti
Transistor bipolare PNP
Funzione
uso generale
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.6W
Quantità per scatola
1
RoHS
no
Tipo di transistor
PNP
Prodotto originale del produttore
Matsushita