Transistor NPN 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V

Transistor NPN 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.69€
5-24
2.34€
25-49
1.98€
50+
1.82€
Equivalenza disponibile
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Transistor NPN 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 320pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: A1941. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5198. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:35

Documentazione tecnica (PDF)
2SA1941-TOS
26 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
TO-3PN ( 2-16C1B )
Custodia (secondo scheda tecnica)
2-16C1A
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
140V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
320pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
30 MHz
Funzione
Amplificatore di potenza HI-FI
Guadagno hFE massimo
160
Guadagno hFE minimo
80
Marcatura sulla cassa
A1941
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
100W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SC5198
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.8V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
140V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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