Transistor MOSFET IRF7343. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 24/26nC. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. DRUCE CORRENTE: 4.7/-3.4A. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Quantità per scatola: 2. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 55/-55V. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43