Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Coppia di transistor MOSFET N-P

Transistor MOSFET IRF7319

Transistor MOSFET IRF7319
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Transistor MOSFET IRF7319. Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), ...
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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
FDS8958A
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
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