Transistor MOSFET HGTG30N60B3D

Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Transistor MOSFET. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N-P. Funzione: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 137 ns. Td(acceso): 36ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.