Transistor IGBT STGW40NC60KD. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2870pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 70A. Costo): 295pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 45 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Ic(T=100°C): 38A. Ic(impulso): 220A. Marcatura sulla cassa: GW20NC60KD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(acceso): 46 ns. Td(spento): 164 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40