Transistor IGBT SKW30N60HS. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1500pF. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente del collettore: 41A. Costo): 200pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): -. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Funzione: IGBT ad alta velocità in tecnologia NPT. Ic(T=100°C): 30A. Ic(impulso): 112A. Marcatura del produttore: K30N60HS. Marcatura sulla cassa: K30N60HS. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 106 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V. Tensione di soglia del diodo: 1.95V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tipo di canale: N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40