Transistor IGBT SGW30N60HS

Transistor IGBT SGW30N60HS. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60HS. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente massima del collettore (A): 112A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): tubo di plastica. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 106 ns. Td(acceso): 16 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 19:25.