Transistor IGBT SGW30N60

Transistor IGBT SGW30N60. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G30N60. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente massima del collettore (A): 112A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 389 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Infineon. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 19:25.