Transistor IGBT SGP30N60HS. Alloggiamento: TO-220AB. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Marcatura del produttore: G30N60HS. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 122 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:39