Transistor IGBT IXYK140N90C3. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 9830pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 310A. Costo): 570pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Diodo CE: no. Diodo Trr (min.): -. Diodo al germanio: no. Funzione: IGBT ad alta velocità per commutazione 20-50kHz. Ic(T=100°C): 140A. Ic(impulso): 840A. Marcatura sulla cassa: IXYK140N90C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1630W. RoHS: sì. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 145 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.15V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 25. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:59