Transistor IGBT IXXK200N65B4. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 760pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 480A. Costo): 220pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Diodo CE: no. Diodo Trr (min.): -. Diodo al germanio: no. Funzione: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Ic(T=100°C): 200A. Ic(impulso): 1200A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1630W. RoHS: sì. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Td(acceso): 45 ns. Td(spento): 226 ns. Tecnologia: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 25. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:59