Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 39N60BD1. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 76A. Corrente massima del collettore (A): 152A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 500 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore IXYS. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 19:25.