Transistor IGBT IRGB14C40LPBF. Alloggiamento: TO-220. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 825pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 20A. Costo): 150pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Diodo CE: no. Diodo al germanio: sì. Ic(T=100°C): 14A. Marcatura sulla cassa: GB14C40L. Nota: resistenze integrate R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Td(acceso): 1.35 ns. Td(spento): 8.3 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 1.3V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 50. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 2.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35