Transistor IGBT IRG4BC30UDPBF

Transistor IGBT IRG4BC30UDPBF. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 23A. Corrente massima del collettore (A): 92A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 91 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.