Transistor a canale P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 230pF. Costo): 95pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. ID (T=100°C): 13.2A. ID (min): 0.1uA. Id(imp): 74.8A. Marcatura sulla cassa: 18P06P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 81W. Protezione GS: diodo. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.102 Ohms. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 25 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2.7V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54