Transistor a canale P SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO220-3. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 335pF. Costo): 105pF. Diodo Trr (min.): 60 ns. Funzione: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. ID (T=100°C): 6.2A. ID (min): 0.1uA. Id(imp): 32.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 48 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54