Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.59€ |
5 - 9 | 1.23€ | 1.50€ |
10 - 24 | 1.19€ | 1.45€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.43€ |
50 - 92 | 1.14€ | 1.39€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.59€ |
5 - 9 | 1.23€ | 1.50€ |
10 - 24 | 1.19€ | 1.45€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.43€ |
50 - 92 | 1.14€ | 1.39€ |
Transistor a canale P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - SPD08P06P. Transistor a canale P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60us. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 35.2A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.
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