Transistor a canale P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 10nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 600pF. Costo): 70pF. Diodo Trr (min.): 30 ns. ID (T=100°C): 3.8A. ID (min): 1nA. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.2W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 35 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30