Transistor a canale P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (massimo): 7.1A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): 60 ns. ID (T=100°C): 5.7A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. RoHS: sì. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Tipo di canale: P. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:07