Transistor a canale P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): 60 ns. ID (T=100°C): 5.6A. ID (min): 1uA. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 110 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30