Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.60€ | 0.73€ |
5 - 9 | 0.57€ | 0.70€ |
10 - 24 | 0.54€ | 0.66€ |
25 - 49 | 0.51€ | 0.62€ |
50 - 99 | 0.50€ | 0.61€ |
100 - 249 | 0.49€ | 0.60€ |
250 - 13581 | 0.47€ | 0.57€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.60€ | 0.73€ |
5 - 9 | 0.57€ | 0.70€ |
10 - 24 | 0.54€ | 0.66€ |
25 - 49 | 0.51€ | 0.62€ |
50 - 99 | 0.50€ | 0.61€ |
100 - 249 | 0.49€ | 0.60€ |
250 - 13581 | 0.47€ | 0.57€ |
Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -12V, -3A - SI2315BDS-T1-E3. Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -12V, -3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M5. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -0.9V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 715pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.
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