Transistor a canale P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

Transistor a canale P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
16.58€
5-9
15.64€
10-24
14.64€
25+
13.63€
Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo
Esaurito

Transistor a canale P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 630V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1250pF. Corrente del collettore: 40A. Costo): 40pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Ic(impulso): 200A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 50 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tipo di canale: P. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Prodotto originale del produttore: Panasonic. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40

Documentazione tecnica (PDF)
RJP63F4A
23 parametri
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
630V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1250pF
Corrente del collettore
40A
Costo)
40pF
Diodo CE
no
Diodo al germanio
no
Ic(impulso)
200A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
RoHS
Spec info
Panasonic--TX-P50VT20EA
Td(acceso)
20 ns
Td(spento)
50 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.7V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
2.5V
Tipo di canale
P
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
5V
Voltaggio gate/emettitore VGE
30 v
Prodotto originale del produttore
Panasonic