Transistor a canale P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Transistor a canale P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.27€
5-24
1.97€
25-49
1.67€
50+
1.46€
Quantità in magazzino: 751

Transistor a canale P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 690pF. Costo): 310pF. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Funzione: Miglioramento del livello logico. ID (T=100°C): 6A. ID (min): 1uA. Id(imp): 32A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 6.7 ns. Td(spento): 19.8 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Niko-semi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
P5504ED
29 parametri
ID (T=25°C)
8A
Idss (massimo)
10uA
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
40V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
690pF
Costo)
310pF
Diodo Trr (min.)
15.5 ns
Funzione
Miglioramento del livello logico
ID (T=100°C)
6A
ID (min)
1uA
Id(imp)
32A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
28W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.065 Ohms
RoHS
Td(acceso)
6.7 ns
Td(spento)
19.8 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Niko-semi