Transistor a canale P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V

Transistor a canale P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V

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Transistor a canale P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Capacità del gate Ciss [pF]: 750pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 55W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -12A. Marcatura del produttore: NT2955G. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27

Documentazione tecnica (PDF)
NTD2955-T4G
17 parametri
Alloggiamento
D-PAK
Custodia (standard JEDEC)
TO-252
Tensione drain-source Uds [V]
-60V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.18 Ohms @ -6A
Capacità del gate Ciss [pF]
750pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
55W
Famiglia di componenti
MOSFET, P-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-12A
Marcatura del produttore
NT2955G
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
40 ns
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
20 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-4V
Prodotto originale del produttore
Onsemi