Transistor a canale P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V
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Transistor a canale P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (massimo): 200uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 79pF. Costo): 10pF. Diodo Trr (min.): 17 ns. Funzione: Interruttore di segnale piccolo a canale P controllato in tensione, design della cella ad alta densità per RDS basso (ON). ID (min): 1uA. Id(imp): 1A. Marcatura sulla cassa: 610. Nota: serigrafia/codice SMD 610. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 2.5 ns. Td(spento): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:01