Transistor a canale P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Transistor a canale P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
5-49
0.13€
50-99
0.11€
100-199
0.0963€
200+
0.0756€
Quantità in magazzino: 194
Min.: 5

Transistor a canale P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (massimo): 200uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 79pF. Costo): 10pF. Diodo Trr (min.): 17 ns. Funzione: Interruttore di segnale piccolo a canale P controllato in tensione, design della cella ad alta densità per RDS basso (ON). ID (min): 1uA. Id(imp): 1A. Marcatura sulla cassa: 610. Nota: serigrafia/codice SMD 610. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 2.5 ns. Td(spento): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:01

NDS0610
31 parametri
ID (T=25°C)
0.12A
Idss (massimo)
200uA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
79pF
Costo)
10pF
Diodo Trr (min.)
17 ns
Funzione
Interruttore di segnale piccolo a canale P controllato in tensione, design della cella ad alta densità per RDS basso (ON)
ID (min)
1uA
Id(imp)
1A
Marcatura sulla cassa
610
Nota
serigrafia/codice SMD 610
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.36W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
1.3 Ohms
RoHS
Td(acceso)
2.5 ns
Td(spento)
10 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.5V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor
Quantità minima
5