Transistor a canale P NDP6020P, -20V
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Transistor a canale P NDP6020P, -20V. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1590pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -24A. Marcatura del produttore: NDP6020P. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -0.7V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:25
NDP6020P
11 parametri
Tensione drain-source Uds [V]
-20V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.05 Ohms @ -24A
Capacità del gate Ciss [pF]
1590pF
Dissipazione massima Ptot [W]
60W
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-24A
Marcatura del produttore
NDP6020P
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
250 ns
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
30 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-0.7V
Prodotto originale del produttore
Onsemi