Transistor a canale P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Transistor a canale P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.37€
5-49
0.32€
50-99
0.28€
100-199
0.25€
200+
0.22€
Quantità in magazzino: 2750

Transistor a canale P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 20mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. ID (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Marcatura sulla cassa: 6Y. Nota: serigrafia/codice SMD 6Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.8V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. Unità di condizionamento: 3000. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MMBFJ177
22 parametri
Idss (massimo)
20mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
25V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Condizionamento
rotolo
ID (min)
1.5mA
IGF
50mA
Marcatura sulla cassa
6Y
Nota
serigrafia/codice SMD 6Y
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
225mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
P-Channel Switch
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
2.5V
Tensione gate/source (spenta) min.
0.8V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
JFET
Unità di condizionamento
3000
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor