Transistor a canale P MMBF5461, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Transistor a canale P MMBF5461, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.21€
5-49
0.17€
50-99
0.15€
100-499
0.13€
500+
0.11€
Quantità in magazzino: 1998

Transistor a canale P MMBF5461, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 5pF. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 61U. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 61U. Tecnologia: J-FET amplificatore.. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. Vgs(esimo) min.: 7.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MMBF5461
23 parametri
Idss (massimo)
9mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
40V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
5pF
ID (min)
2mA
IGF
10mA
Marcatura sulla cassa
61U
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
225mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD 61U
Tecnologia
J-FET amplificatore.
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
JFET
Vgs(esimo) min.
7.5V
Voltaggio gate/source Vgs
4.5V
Prodotto originale del produttore
Fairchild