Transistor a canale P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Transistor a canale P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.94€
5-24
0.81€
25-49
0.71€
50-99
0.63€
100+
0.51€
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Transistor a canale P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 570pF. Carica: 19nC. Condizionamento: tubus. Costo): 360pF. DRUCE CORRENTE: -8.8A, -5.6A. Diodo Trr (min.): 100 ns. ID (T=100°C): 5.6A. ID (min): 100uA. Id(imp): 35A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Polarità: unipolari. Potenza: 42W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. Resistenza allo stato: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 15 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -60V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
IRFU9024
37 parametri
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
ID (T=25°C)
8.8A
Idss (massimo)
500uA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
570pF
Carica
19nC
Condizionamento
tubus
Costo)
360pF
DRUCE CORRENTE
-8.8A, -5.6A
Diodo Trr (min.)
100 ns
ID (T=100°C)
5.6A
ID (min)
100uA
Id(imp)
35A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
42W
Polarità
unipolari
Potenza
42W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.28 Ohms
Resistenza allo stato
0.28 Ohms
RoHS
Td(acceso)
13 ns
Td(spento)
15 ns
Tecnologia
HEXFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
-60V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier

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