Transistor a canale P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Transistor a canale P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.14€
5-24
0.96€
25-49
0.84€
50-99
0.81€
100+
0.62€
Quantità in magazzino: 87

Transistor a canale P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK ( TO-252AA ). Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 340pF. Costo): 110pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. ID (T=100°C): 2.3A. ID (min): 100uA. Id(imp): 14A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Td(acceso): 8.8 ns. Td(spento): 7.3 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR9220
27 parametri
ID (T=25°C)
3.6A
Idss (massimo)
500uA
Custodia (secondo scheda tecnica)
D-PAK ( TO-252AA )
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
340pF
Costo)
110pF
Diodo Trr (min.)
150 ns
Funzione
rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida
ID (T=100°C)
2.3A
ID (min)
100uA
Id(imp)
14A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
42W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
1.5 Ohms
Td(acceso)
8.8 ns
Td(spento)
7.3 ns
Tecnologia
Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
2V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier