Transistor a canale P IRFR9024PBF, TO252AA, TO-252, -60V. Alloggiamento: TO252AA. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF. Caratteristiche: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -8.8A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 8.8A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRFR9024PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Polarità: MOSFET P. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. RoHS: sì. Serie: IRFR. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -60V. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:45