Transistor a canale P IRFR9014TRPBF, D-PAK, TO-252, -60V

Transistor a canale P IRFR9014TRPBF, D-PAK, TO-252, -60V

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Transistor a canale P IRFR9014TRPBF, D-PAK, TO-252, -60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Capacità del gate Ciss [pF]: 270pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -5.1A. Marcatura del produttore: IRFR9014PBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.6 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:24

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR9014TRPBF
17 parametri
Alloggiamento
D-PAK
Custodia (standard JEDEC)
TO-252
Tensione drain-source Uds [V]
-60V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.5 Ohms @ -3.1A
Capacità del gate Ciss [pF]
270pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
2.5W
Famiglia di componenti
MOSFET, P-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-5.1A
Marcatura del produttore
IRFR9014PBF
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
9.6 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
11 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-4V
Prodotto originale del produttore
Vishay (ir)