Transistor a canale P IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK. Alloggiamento: TO252AA, DPAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 42nC. DRUCE CORRENTE: -31A. Polarità: unipolari. Potenza: 89W. Resistenza termica abitativa: 1.4K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di transistor: P-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:15