Transistor a canale P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor a canale P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

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Transistor a canale P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1200pF. Costo): 520pF. Diodo Trr (min.): 71ms. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 22A. ID (min): 25uA. Id(imp): 110A. Marcatura sulla cassa: IRFR5305. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR5305
31 parametri
ID (T=25°C)
31A
Idss (massimo)
250uA
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1200pF
Costo)
520pF
Diodo Trr (min.)
71ms
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (T=100°C)
22A
ID (min)
25uA
Id(imp)
110A
Marcatura sulla cassa
IRFR5305
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
110W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.065 Ohms
RoHS
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
39 ns
Tecnologia
HEXFET ® Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier