Transistor a canale P IRFP9240PBF, TO247, -200V, 12A, -200V

Transistor a canale P IRFP9240PBF, TO247, -200V, 12A, -200V

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Transistor a canale P IRFP9240PBF, TO247, -200V, 12A, -200V. Alloggiamento: TO247. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 12A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Caratteristiche: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -12A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 12A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRFP9240PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Polarità: MOSFET P. Potenza: 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.5 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. RoHS: sì. Serie: IRFP. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: P. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -200V. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:06

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP9240PBF
30 parametri
Alloggiamento
TO247
Tensione drain-source (Vds)
-200V
Corrente di assorbimento massima
12A
Tensione drain-source Uds [V]
-200V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.5 Ohms @ -7.2A
Capacità del gate Ciss [pF]
1200pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
150W
Famiglia di componenti
MOSFET, P-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-12A
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
12A
Marcatura del produttore
IRFP9240PBF
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Polarità
MOSFET P
Potenza
150W
Rds sulla resistenza attiva
0.5 Ohms
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
39 ns
RoHS
Serie
IRFP
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
14 ns
Tensione di azionamento
10V
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-4V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di canale
P
Tipo di montaggio
THT
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
-200V
Prodotto originale del produttore
Vishay (ir)