Transistor a canale P IRFP9240, TO-247, 12A, 500uA, TO-247AC, 200V

Transistor a canale P IRFP9240, TO-247, 12A, 500uA, TO-247AC, 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.59€
5-24
2.30€
25-49
2.08€
50-99
1.91€
100+
1.61€
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Transistor a canale P IRFP9240, TO-247, 12A, 500uA, TO-247AC, 200V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1200pF. Carica: 44nC. Condizionamento: tubus. Costo): 370pF. DRUCE CORRENTE: -12A, -7.5A. Diodo Trr (min.): 250 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 7.5A. ID (min): 100uA. Id(imp): 48A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Polarità: unipolari. Potenza: 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.57 Ohms. Resistenza allo stato: 0.5 Ohms. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) IRFP240. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -200V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP9240
39 parametri
Alloggiamento
TO-247
ID (T=25°C)
12A
Idss (massimo)
500uA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1200pF
Carica
44nC
Condizionamento
tubus
Costo)
370pF
DRUCE CORRENTE
-12A, -7.5A
Diodo Trr (min.)
250 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (T=100°C)
7.5A
ID (min)
100uA
Id(imp)
48A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Polarità
unipolari
Potenza
150W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.57 Ohms
Resistenza allo stato
0.5 Ohms
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) IRFP240
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
39 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
-200V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Vishay