Transistor a canale P IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 200pF. Costo): 94pF. Diodo Trr (min.): 80 ns. ID (T=100°C): 0.69A. ID (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51