Transistor a canale P IRFL110, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Transistor a canale P IRFL110, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.92€
5-24
0.73€
25-49
0.65€
50-99
0.58€
100+
0.50€
Quantità in magazzino: 2783

Transistor a canale P IRFL110, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.5A. Idss (massimo): 1.5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). ID (T=100°C): 0.96A. Nota: b47kaa. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFL110
15 parametri
ID (T=25°C)
1.5A
Idss (massimo)
1.5A
Alloggiamento
SOT-223 ( TO-226 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-223
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
ID (T=100°C)
0.96A
Nota
b47kaa
Pd (dissipazione di potenza, massima)
3.1W
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.54 Ohms
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Vishay