Transistor a canale P IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Alloggiamento: DIP4. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Capacità del gate Ciss [pF]: 390pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -1A. Marcatura del produttore: IRFD9120PBF. Numero di terminali: 4. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.6 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:42