Transistor a canale P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

Transistor a canale P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

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Transistor a canale P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 17A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Capacità del gate Ciss [pF]: 620pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -19A. Marcatura del produttore: IRF9Z34NPBF. Numero di terminali: 3. Potenza: 56W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06

Documentazione tecnica (PDF)
IRF9Z34NPBF
22 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Tensione drain-source (Vds)
-55V
Corrente di assorbimento massima
17A
Tensione drain-source Uds [V]
-55V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ -10A
Capacità del gate Ciss [pF]
620pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
68W
Famiglia di componenti
MOSFET, P-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-19A
Marcatura del produttore
IRF9Z34NPBF
Numero di terminali
3
Potenza
56W
Rds sulla resistenza attiva
0.10 Ohms
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
30 ns
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
13 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-4V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
International Rectifier